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CVD和ALD前驅體

半導體ALD/CVD前驅體是半導體薄膜沉積工藝的核心關鍵原材料,能夠通過化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,CVD)和原子層沉積(Atomic Layer Deposition,ALD)制備金屬/氧化物/氮化物薄膜,用于90nm-14nm甚至7nm先進技術節點的集成電路制造工藝,被廣泛應用于高端芯片制造,包括邏輯芯片、AI芯片、5G芯片、大容量存儲器和云計算芯片等。阿拉丁擁有多種ALD/CVD前驅體材料及技術,可提供包括三甲基鋁在內的多種產品。

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